TSM085P03CV RGG
/MOSFET -30V, -64A, Single P Channel Power MOSFET
TSM085P03CV RGG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PDFN33-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:64 A
Rds On-漏源导通电阻:7.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:55 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:50 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值:38 S
下降时间:27 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.6 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:56 ns
典型接通延迟时间:7.2 ns
TSM085P03CV RGG
TSM085P03CV RGG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM085P03CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, -64A, Single P Channel Power MOSFET | 1:¥5.9212 10:¥5.1528 100:¥3.9776 500:¥2.938 5,000:¥1.9323 10,000:查看
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